Samsung 990 EVO Plus - 1 To PCIe Gen4. X4 / Gen5. X2 NVMe 2.0 - M.2 Int

Présentation

SSD interne, SSD NVMe de 1 To avec une vitesse de lecture/écriture séquentielle allant jusqu'à 7 150 Mo/s / 6 300 Mo/s, repoussant les limites de l'interface PCIe 4.0, 45 % plus rapide que le modèle précédent. L'efficacité énergétique est améliorée de 73 % pour plus de Mo/s par watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique par rapport à la génération précédente, ce qui en fait le choix idéal pour la longévité de la batterie des ordinateurs portables. Dispose d'un cache SLC étendu pour des performances soutenues à haute vitesse lors des transferts de fichiers volumineux et des sessions de jeu intenses. Capacité étendue jusqu'à 4 To et technologie rapide Intelligent TurboWrite 2.0 avec une région TurboWrite agrandie.

Caractéristiques principales

• SSD interne, SSD NVMe de 1 To avec une vitesse de lecture/écriture séquentielle allant jusqu'à 7 150 Mo/s / 6 300 Mo/s, repoussant les limites de l'interface PCIe 4.0, 45 % plus rapide que le modèle précédent.
• L'efficacité énergétique est améliorée de 73 % pour plus de Mo/s par watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique par rapport à la génération précédente, ce qui en fait le choix idéal pour la longévité de la batterie des ordinateurs portables.
• Dispose d'un cache SLC étendu pour des performances soutenues à haute vitesse lors des transferts de fichiers volumineux et des sessions de jeu intenses. Capacité étendue jusqu'à 4 To et technologie rapide Intelligent TurboWrite 2.0 avec une région TurboWrite agrandie.
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• La mémoire flash NAND de Samsung a alimenté des technologies révolutionnaires qui ont changé chaque partie de notre vie quotidienne ; cette technologie flash NAND alimente également nos SSD grand public, ouvrant la voie à la prochaine grande poussée d'innovation.

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