Samsung 990 EVO Plus 1To SSD NVMe PCIe MZ-V9S1T0B/AM
SamsungUGS ED2029
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Aperçu
Le Samsung 990 EVO Plus 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC est un disque SSD de 1 To au format M.2 doté d'une interface PCI Express 4.0. Vitesses séquentielles atteignant 7150 Mo/s en lecture et 6300 Mo/s en écriture. Mémoire flash V-NAND TLC.
Caractéristiques principales
- Capacité de 1 To
- Format M.2, interface PCI Express 4.0
- Jusqu'à 7150 Mo/s en lecture et 6300 Mo/s en écriture
- Mémoire flash V-NAND TLC
- 1 × Samsung 990 EVO Plus 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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| Numéro de modèle | MZ-V9S1T0B |
|---|---|
| Version NVMe | 2.0 |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 1 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| composant pour | PC/ordinateur portable |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 7150 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 6300 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 850000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1350000 IOPS |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Classe TBW | 600 |
| Consommation électrique (Lecture) | 4,3 W |
| Consommation électrique (Ecriture) | 4,2 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,06 W |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 22,1 mm |
| Hauteur | 2,38 mm |
| Type d'emballage | Boîte avec crochet |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Température hors fonctionnement | -40 - 85 °C |
| Humidité relative de fonctionnement (H-H) | 5 - 95% |
| Taux d'humidité relative (stockage) | 5 - 95% |
| Choc hors fonctionnement | 1500 G |
| Résistance aux vibrations | 20 G |
| Période de garantie | 5 année(s) |
| Certificats de conformité | CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC |
Informations sur la livraison
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